アルバックは、次世代MEMSデバイスで主流となるCMOS搭載MEMSデバイス向け量産用低温PZTスパッタリング技術を開発した。
近年、加速度センサやジャイロセンサ、圧力センサの機能の根幹となる圧電材料としてPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)の薄膜を使った圧電MEMSデバイスの需要が拡大中。CMOSと融合させることで高性能化、多機能化、小型化ができ、応用範囲が急速に広がっている。
同社は、CMOSに搭載可能な圧電MEMSデバイス用PZT薄膜を500℃以下のスパッタリングプロセスでの形成に成功。最高レベルの圧電性能と素子の信頼性に必要な高絶縁耐圧、耐疲労性能を満たす技術を開発した。一般的にPZT薄膜の結晶化温度はスパッタリング法で600℃程度、Sol―Gel法で700℃と高温プロセスが必要で、500℃以下の低温プロセスが必要なCMOSへの搭載が困難だった。