三菱電機は、独自の1チップ構造と新パッケージの採用により世界最高の定格出力密度を実現した6.5kV耐圧フルSiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールを開発した。
高耐圧が求められる鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネに貢献する。
新開発のパワー半導体モジュールは、ダイオードを内蔵した独自開発のMOSFETにより、MOSFETとダイオードを別々にモジュールに搭載した従来に比べて面積を半減した。また、小さい体積で大きな電流を流すとチップから発生する熱が増大することからパッケージ発熱対策として部材メーカー4社との連携により、優れた熱伝導性と耐熱性を両立する絶縁基板と、信頼性の高い接合技術を開発し、高放熱・高耐圧の小型パッケージを可能にした。これらにより、高耐圧パワー半導体モジュールとして世界最高の定格出力密度9.3kVA／ccを実現している。
今後、信頼性確認や市場コストなどの研究を進めるが、発売時期は未定。
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