三菱電機は、鉄道車両・直流送電などの大型産業機器向け大容量SiCパワー半導体モジュールの新製品として、耐電圧3.3kV・絶縁耐電圧6.0kVrmsの高電流密度dualタイプにSBD内蔵MOSFETを採用した「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」のサンプル提供を開始した。
これまで「3.3kV HVパワーモジュール dualタイプLV100」のSiパワーモジュール2品種、フルSiCパワーモジュール4品種を市場投入してきており、同製品は、大型産業機器向けの多様なインバーターの高出力・高効率化と信頼性向上に向け、SBD内蔵SiC-MOSFETの採用とパッケージ構造の最適化でスイッチング損失を低減しSiCの性能を引き出したものとなる。
https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2023/0508.html
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