三菱電機は、パッケージの内部インダクタンスを低減し、第二世代SiCチップを搭載した「産業用フルSiCパワー半導体モジュールNXタイプ」のサンプル提供を開始した。
産業用のパワー半導体モジュールはインバーターなどの電力変換機器に使用されており、さらなる電力変換効率の向上を実現する高効率な製品が求められている。それに対し同製品は、パッケージ内の電極構造を最適化し、内部インダクタンスを従来比で約47％低減した9nHを実現し、さらに第2世代SiCチップを採用し、低損失特性に加え、内部インダクタンス低減によってさらなる電力損失の低減を可能とし、産業用機器の高効率化、小型・軽量化を実現する。
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