富士電機とデンソーが共同申請した「半導体の供給確保計画」が経済産業省から認定を受け、今後両社はSiCパワー半導体に関する投資と製造連携を進め、国内生産能力を強化する。
富士電機は、パワーエレクトロニクス機器の高効率化や小型化に貢献するSiCパワー半導体素子の開発からモジュールの量産まで一貫した体制を備え、デンソーはウエハや素子、モジュールからインバーターまで、高品質・高効率を実現するためのSiC技術を総合的に開発してきている。今後、車載分野における両社の製品開発力と生産技術力を生かし、国内のSiCパワー半導体の安定的な供給能力拡大に向けて連携していく。
同計画による事業総額は2116億円で、うち最大助成額は705億円。主な生産拠点は、富士電機 松本工場(SiC エピタキシャルウエハ、SiC パワー半導体)、デンソー 大安製作所(SiC ウエハ)、幸田製作所(SiC エピタキシャルウエハ)。
https://www.fujielectric.co.jp/about/news/detail/__icsFiles/afieldfile/2024/11/28/20241129.pdf
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